| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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SI4418DY-T1-E3 |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | Vishay Siliconix | 14670 | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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SI4418DY-T1-E3参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC 包装数量：1 包装形式：剪切带 (CT) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：200V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.3A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：130 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：- 功率 - 最大值：1.5W 安装类型：表面贴装 |
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